特朗普政府发起的贸易战虽然收场,但这几个月,人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板,中国大量进口的IGBT也被挖了出来。有媒体就认为,由于中国IGBT需要大量进口,而这个产业又被西方国家把持,对于中国正在全力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过,在IGBT技术上,中国实际上并不差,大量依赖进口,并非技术水平不行。下面就随嵌入式小编共同来了解一下相关联的内容吧。

  IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就是绝缘栅双极型晶体管。最初是未解决MOSFET的高导通压降而难于制成兼有高压和大电流特性的功率器件,以及GTR的工作频率低、驱动电路功率大等不足而研制的双机理复合器件。

  由于IGBT集MOSFET和GTR的优点于一体,具有开关速度快、耐热性好、驱动电路简单、驱动电流小、通态压降小、耐压高及承受电流大等优点,因此在电机控制和开关电源,以及要求快速、低损耗的应用领域普遍的使用。无论是民用领域的轨道交通、新能源汽车、白色家电,还是工业控制、智能电网、国防军工,不能离开IGBT。

  然而,就是这样一种较为重要的功率器件,却基本被英飞凌、三菱、富士电机、仙童等国外企业垄断了全球市场。国内市场需求80%以上需要进口,中国市场已然成为英飞凌等国外巨头的现金奶牛——近年来,英飞凌的IGBT模块在中国工业应用领域的市场占有率一直处在第一位。其中,通用变频器超过55%;中高压变频器超过80%;逆变电焊机超过50%;感应加热超过80%;运输领域超过70%。

  中国国内企业在市场之间的竞争中不敌国外厂商,一方面的原因是国内厂商起步发展晚,失去了先机,且西方国家的工业基础比中国更强。另一方面,也因为IGBT这个行业的特殊性导致政府和企业不太愿意去投入大量资金发展IGBT。

  虽然中国IGBT企业在商业上完全不敌英飞凌、富士通、三菱等国外大厂,但不能说中国在有关技术上差很多。诚然,国内大部分企业在IGBT技术上和国外大厂差距明显,但有一家公司的IGBT水平很强,相对于国内其他IGBT厂商能够说是鹤立鸡群的存在,那就是中国中车。

  通过收购英国丹尼克斯公司,中国企业掌握了世界一流的技术。这里介绍一下丹尼克斯,是英国一家在IGBT方面有较深厚技术积累的企业,曾经研发出全世界第一条8英寸IGBT线。

  虽然丹尼克斯在技术上很不错,但由于“我大英自有国情在此”,英国的不少高科技企业先后被出售,丹尼克斯也位列其中。虽然技术是买来的,但收购下来并实现消化吸收的技术,就是我们自己的技术。

  目前,株洲那条生产线万片,主要供应国家战略领域和军工领域需求。由于产能非常有限,而且针对特殊领域也只是勉强满足,自然就没有余力开拓商业市场了。

  既然国内IGBT技术水平并不差,那为何不去搞军民融合,扩大产能,开拓民用市场呢?其实是IGBT行业自身的特点,使政府和企业缺乏投资IGBT产业的动力。

  首先,IGBT的市场规模偏小。目前,全球IGBT市场规模总共也就100亿美元左右。作为对比,存储芯片NAND FLASH和DRAM的市场规模则超过800亿美元。由于投资人都是趋利的,肯定会优先投资市场规模更大的芯片。这也是近年来,以紫光为代表的一批中国企业纷纷投资存储芯片的原因之一。

  其次,IGBT是一个红海市场。目前,全球IGBT行业共有几百家公司参与市场之间的竞争,市场之间的竞争异常激烈,而且IGBT市场规模的增长率和未来的增长潜力相对于手机主芯片、存储芯片来说逊色不少。这又促使企业避开这个领域。

  再次,国产化省钱作用不明显。在很多领域,由于国内企业做不出来,外商往往把产品卖出天价,然后国内企业把产品做出来以后把价格白菜化。但IGBT行业则不然。之前说了,由于市场之间的竞争很激烈,行业的集中度远远不像CPU、GPU、FPGA、NAND FLASH和DRAM等芯片这么高,这就使中国企业能够买到比较便宜的产品。而且由于价格实惠公道,利润不高,国内企业即便做出可以和英飞凌匹敌的产品,也会因为利润稀薄没办法回收研发成本而陷入资金链断裂的困局。

  最后,就是IGBT的优先级不够高。IGBT是功率器件,和CPU这类逻辑器件存在一个很大的差别,那就是正常情况下不会像CPU那样可以植入逻辑后门。也就是说购买国外IGBT,不会像购买CPU那样存在安全风险。另外,虽然近年来中国在所有的领域不断取得突破,但现在中国受制于人的领域还有不少,比如CPU、GPU、FPGA、DSP、NAND FLASH和DRAM等等,就优先度来说,CPU要比IGBT高不少。在这种情况下,国家也只能抓大放小,先把优先度高的芯片做起来,在逐步解决优先度更高的芯片之后,才有余力去解决IGBT。

  由于IGBT已经是红海市场,且市场规模相对偏小,以及国产化省钱不明显等因素,阿里、腾讯等不差钱的企业也不会像投资打车软件、共享自行车、订餐软件那样去烧钱。毕竟企业是以利润为导向的,即便一些企业家在媒体上如何表达自己忧国忧民的情怀,展现自己胸怀天下,但实际上,这些企业家只对股东和投资人负责,未必会对国计民生负责。

  国家决策的起点是保证关键领域不被卡脖子,也就是说,现阶段的任务只是关键领域能够很好的满足基本需求——株洲和中国电科某所的一次会议上就直截了当的说“确保关键领域不被卡脖子”。就目前来说,国家还不会像扶持存储芯片那样,去扶持IGBT。

  像中车为何会去搞IGBT,其中一个重要原因也是因为在高铁领域,别的需要攻克的难关基本都攻克了,出于完全国产化的需要,就顺带把IGBT也搞出来了。

  至于在商业市场上把英飞凌、三菱的IGBT赶出中国市场,恐怕还需要等待时机。

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  瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT 全新功率器件将在瑞萨新落成的300mm甲府工厂生产 2022 年 8 月 30 日,中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件—— 该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。 此外,瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产,以满足市场对功率半导体产品日渐增长的需求。 与当前一代AE4产品相比,用于IGBT的硅

  市场调研公司IC Insight调整2010年全球半导体销售额的预测, 估计增长27%,达2530亿美元。并同时预测2011年半导体销售额再增长15%,达2900亿美元。 按IC Insight的最新说法,2010年全球半导体销售额将比之前较好的2007年的2340亿美元还好, 达到近期单年的最高增长值。 IC Insight曾在今年1月时预测2009年全球半导体下降9%,及2010年增长15%的预测, 此次又作了新的调整。 推动今年半导体增长的主要动力来自全球DRAM产业, 由于其平均售价ASP的上升,IC Insight估计全球存储器的销售额在2009年下降之后, 今年增长达74%。

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流比较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载

  据iSuppli公司,第一季度DRAM销售强劲,台湾力晶半导体表现突出,市场排名升至第五。 第一季度力晶DRAM营业收入为4.32亿美元,比2009年第四季度的2.39亿美元大增80.8%,比2009年第一季度暴增1068%。这在第一季度iSuppli公司的DRAM供应商排行榜中,是最强劲的表现,而且远优于总体产业。第一季度全世界DRAM营业收入比去年第四季度增长8.8%,比去年同期增长178.1%。 在最近的三个季度中,力晶的营收每季度都增长近60%,推动其排名上升。它在2009年第四季度排名第六,2009年第一季度排名第九。 力晶排名上升,源于其产量大幅度增长和产品结构优化,来提升了其DRAM

  市场最新排名:台、韩系厂商表现亮眼 /

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  摘要:介绍了某型超声波电源的工作原理,采用移相式全桥串联谐振电路,以IGBT为功率开关器件,热耗小,转换效率高,噪音低,配合适当型号的清洗槽和清洗液,清理洗涤效果好。关键词:超声波电源;全桥;移相;绝缘栅晶体管   图1超声波清洗机电源主电路     图2等效电路拓扑     1引言 随着科学技术的发展和社会的进步,超声波清洗机在很多领域中得到了广泛的应用,尤其是在军事装备和各种电子、机械、光学等零部件的加工和处理过程中。但以前的超声波清洗机大多存在噪声大、效率低等缺点。为此,采用全桥移相式串联谐振电路拓扑,以IGBT为功率开关器件,研制成功某型便携式超声波清洗机。它具有热耗小,转换效率高,噪音低,

  超声波电源的研制 /

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